BEGIN:VCALENDAR
PRODID;X-RICAL-TZSOURCE=TZINFO:timetable.tusur.ru
CALSCALE:GREGORIAN
VERSION:2.0
BEGIN:VTIMEZONE
TZID;X-RICAL-TZSOURCE=TZINFO:Asia/Novosibirsk
BEGIN:STANDARD
DTSTART:20160724T020000
RDATE:20160724T040000
TZOFFSETFROM:+0600
TZOFFSETTO:+0700
TZNAME:+07
END:STANDARD
END:VTIMEZONE
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260903T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260903T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260917T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260917T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261001T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261001T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261015T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261015T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261029T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261029T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260910T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260910T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260924T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260924T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261008T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261008T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261022T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261022T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 125-1\, 125-2\, 135-1\, 135-2\, 145-1\, 145-2
SUMMARY:Электроника
LOCATION:гк 428
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260914T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260914T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260928T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260928T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261012T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261012T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261026T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261026T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260904T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260904T150000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260918T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260918T150000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261002T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261002T150000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261016T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261016T150000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261030T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261030T150000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260915T182000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260915T164500
DESCRIPTION:Практика\, 364-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260929T182000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260929T164500
DESCRIPTION:Практика\, 364-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261013T182000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261013T164500
DESCRIPTION:Практика\, 364-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261027T182000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261027T164500
DESCRIPTION:Практика\, 364-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260905T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260905T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260919T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260919T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261003T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261003T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261017T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261017T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261031T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261031T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260915T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260915T150000
DESCRIPTION:Практика\, 364-3
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260929T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260929T150000
DESCRIPTION:Практика\, 364-3
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261013T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261013T150000
DESCRIPTION:Практика\, 364-3
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261027T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261027T150000
DESCRIPTION:Практика\, 364-3
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260904T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260904T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 420
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260918T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260918T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 420
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261002T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261002T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 420
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261016T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261016T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 420
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261030T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261030T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 420
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260915T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260915T131500
DESCRIPTION:Курсовое проектирование\, 323-2
SUMMARY:Проектирование электронной компонентной базы микроэлектроники и м
 икросистемной техники
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260929T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260929T131500
DESCRIPTION:Курсовое проектирование\, 323-2
SUMMARY:Проектирование электронной компонентной базы микроэлектроники и м
 икросистемной техники
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261013T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261013T131500
DESCRIPTION:Курсовое проектирование\, 323-2
SUMMARY:Проектирование электронной компонентной базы микроэлектроники и м
 икросистемной техники
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261027T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261027T131500
DESCRIPTION:Курсовое проектирование\, 323-2
SUMMARY:Проектирование электронной компонентной базы микроэлектроники и м
 икросистемной техники
LOCATION:ф 119
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260914T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260914T085000
DESCRIPTION:Лекция\, 353-1\, 353-2
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260928T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260928T085000
DESCRIPTION:Лекция\, 353-1\, 353-2
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261012T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261012T085000
DESCRIPTION:Лекция\, 353-1\, 353-2
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261026T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261026T085000
DESCRIPTION:Лекция\, 353-1\, 353-2
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260907T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260907T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260921T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260921T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261005T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261005T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261019T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261019T131500
DESCRIPTION:Лекция\, 314-1\, 314-2\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260914T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260914T131500
DESCRIPTION:Курсовое проектирование\, 323-1
SUMMARY:Проектирование электронной компонентной базы микроэлектроники и м
 икросистемной техники
LOCATION:ф 217
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260928T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260928T131500
DESCRIPTION:Курсовое проектирование\, 323-1
SUMMARY:Проектирование электронной компонентной базы микроэлектроники и м
 икросистемной техники
LOCATION:ф 217
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261012T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261012T131500
DESCRIPTION:Курсовое проектирование\, 323-1
SUMMARY:Проектирование электронной компонентной базы микроэлектроники и м
 икросистемной техники
LOCATION:ф 217
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261026T145000
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261026T131500
DESCRIPTION:Курсовое проектирование\, 323-1
SUMMARY:Проектирование электронной компонентной базы микроэлектроники и м
 икросистемной техники
LOCATION:ф 217
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260912T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260912T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260926T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260926T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261010T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261010T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261024T102500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261024T085000
DESCRIPTION:Практика\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:рк 304
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260907T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260907T150000
DESCRIPTION:Практика\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260921T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260921T150000
DESCRIPTION:Практика\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261005T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261005T150000
DESCRIPTION:Практика\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261019T163500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261019T150000
DESCRIPTION:Практика\, 324-1
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 237
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260907T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260907T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260921T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20260921T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261005T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261005T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
BEGIN:VEVENT
DTEND;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261019T121500
DTSTART;TZID=Asia/Novosibirsk;VALUE=DATE-TIME:20261019T104000
DESCRIPTION:Лекция\, 364-1\, 364-3\, 364-4
SUMMARY:Наноэлектроника
LOCATION:ф 204
END:VEVENT
END:VCALENDAR